Numéro de produit du fabricant:
TSM2NB60CH C5G
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM2NB60CH C5G-DG
Description:
MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
Description détaillée:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 44W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventaire:
12896974
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
TSM2NB60CH C5G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
249 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
44W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251 (IPAK)
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
TSM2NB60CHC5G
TSM2NB60CH C5G-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STD3NK80Z-1
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
3000
NUMÉRO DE PIÈCE
STD3NK80Z-1-DG
PRIX UNITAIRE
0.73
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
TSM900N10CH X0G
MOSFET N-CH 100V 15A TO251
TSM2308CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
TSM061NA03CV RGG
MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
